技术编号:14959604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2015年10月19日提交的日本专利申请第2015-205759号的优先权,其全部内容通过引用并入本申请。本说明书中公开的技术涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术专利文献1公开了包括多个沟槽型栅极电极的半导体器件。每个栅极电极的上表面被层间绝缘膜(在此为BPSG膜(硼磷硅酸盐玻璃))覆盖。接触孔设置在层间绝缘膜中两个相邻的沟槽之间的位置处。上电极层设置成覆盖层间绝缘膜和接触孔。上电极层在接触孔内连接到半导体基板。栅极电极通过层间绝缘膜与上电极层绝缘。在该半导体器件的制造工序中,层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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