技术编号：14959641

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集成电路器件。背景技术高存取电阻是实现高性能锗(Ge)NMOS器件的限制因素之一。高存取电阻的一个贡献因素是金属/n+Ge触点的高肖特基势垒高度(SBH)。对于大多数金属/锗触点，费米能级倾向于固定在价带附近。这种固定对于PMOS器件是有利的，但是对于NMOS器件是不利的。另外，在锗中然后在硅中实现高的n型掺杂剂浓度通常更加困难。附图说明图1示出了包括多层源极和漏极的场效应晶体管(FET)器件的实施例的横截面示意性侧视图。图2示出了包括源极和漏极渐变(graded)复合合成物(composite...
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