技术编号:14959669
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件和磁存储器。本申请主张基于2015年11月27日在日本申请的特愿2015-232334号,2016年3月16日在日本申请的特愿2016-53072号,2016年3月18日在日本申请的特愿2016-56058号,2016年10月27日在日本申请的特愿2016-210531号,2016年10月27日在日本申请的特愿2016-210533号的优先权,并在此引用它们的内容。背景技术已知由铁磁性层和非磁性层的多层膜构成的巨磁阻(GMR)元件以及作为非磁性层使用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。