技术编号:1496577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适用于去除铜的氧化物蚀刻残余物和防止铜电沉积的微电子清洁组合物,且涉及使用该组合物清洁微电子衬底的方法。该组合物和方法特别有用于清洁光致抗蚀剂灰化后、蚀刻后的Cu-双大马士革(Cu-dual damascene)微电子结构。背景技术现有的微电子结构使用具有二氧化硅电介质的铝合金用于集成电路中的互连系统。多种清洁组合物被开发且可在后道(BEOL)令人满意地从该微电子衬底清洁蚀刻后残余物。然而,由于需要越来越小的几何形状以满足增加的速度和集成密度的需...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。