技术编号：14967065
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件与其制作方法，特别涉及一种减缓行锤击(row hammer)效应的半导体元件和其制作方法。背景技术一般而言，随机动态存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)的单元由一个晶体管以及一个电容所构成，并通过其中的电容来存储电荷，进而记录所欲数据。随着应用的增加，DRAM的尺寸需要不断微缩，以提升DRAM的积极度、加快元件的操作速度、提高DRAM的容量以及符合消费者对于小型化电子装置的需求。随着存储器的尺寸越来越小，作为栅极的字符线密度越来...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。