技术编号：14967757
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种反应釜，具体地说是一种内腔调控钠流法材料生长反应釜。背景技术氮化镓（GaN）作为典型的第三代属于宽带隙半导体材料（～3.4eV），以其独特的特性，在白光照明领域显示出了极强的优越性。在诸多制备方法中，金属有机化学气相沉积法（MOCVD）、氨热法、氢化物气相外延法（HVPE）等，都具有与生俱来的缺陷，或者生产条件要求高，或者位错密度高。为此，人们提出助溶剂法，将钠（Na）等碱金属作为溶剂，可在较温和条件下液相生长得到高质量GaN晶体。这种方法中，由于液体镓密度较高，不易搅动，因此需要...
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