技术编号:14967820
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用齐纳击穿元件(以下也称为ZapFuse)的非易失性存储器电路(以下也称为PROM电路)、半导体装置及读出方法,特别涉及不使读出速度降低的适于谋求大容量化的非易失性存储器电路、半导体装置及读出方法。背景技术齐纳击穿(zener zap)元件例如如专利文献1中记载的那样,是通过对击穿二极管施加击穿电压以上的反偏置电压从而破坏PN结,使阳极电极和阴极电极之间短路而变成电阻的元件,该击穿二极管(Zap Diode)构成为在N半导体层的表面层形成P阱区域,在该P阱区域内形成P阳极区域和N阴极...
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