技术编号:1497636
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及清除用于光伏用途的无定形和微晶硅薄膜的新方法及用该方法形成的器件。背景技术清除用于光伏制造的无定形和微晶硅薄膜的方法主要由用于液晶显示器(LCD) 和半导体器件的方法修改得到。制造后两种器件要求反应室温度高于280°C并通常包括使几种不同种类薄膜形成层;例如,除了硅膜,还可能形成Si02、Si3N4、Si0xNy、金属及金属氧化物薄膜。在制造条件的范围内,分子氟不会与非硅薄膜快速反应。因此,不适宜用分子氟清除这些非硅薄膜。升高反应室温度至高于制造...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。