技术编号：14984209
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及成膜方法及真空处理装置，更详细而言，涉及适合于将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体，对该靶体进行溅镀从而通过反应性溅射使处理对象物的表面形成IGZO膜的装置。背景技术近年来，作为在平板显示器中驱动显示元件的薄膜晶体管(以下，称为”TFT”)的沟道层，使用铟镓锌氧化物(IGZO)等的氧化物半导体。例如，作为氧化物半导体的IGZO膜通常使用溅镀装置来成膜。在这种情况下，将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体，在设置该靶体的溅镀装置的真空处理室内配置处理对象物，真空处理室被真空排气到规定的压力时，导入...
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