技术编号:14984213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及梯度薄膜材料制备领域,具体涉及一种梯度钯钇透氢复合薄膜材料以及一种利用高真空双靶磁控溅射制备该薄膜材料的方法。背景技术钯具有优良的氢敏特性,常常被用作氢敏传感器的氢敏层,并且目前绝大多数的氢敏元件都采用该金属。通过Pd-H2体系相图可以看出:在300 ℃以下,钯有α相和β相两种存在形式。没有氢存在的情况下,钯始终以a-贫氢相的形式存在;但是当钯中氢含量超过α相钯所能吸收氢的极限时,钯就会产生相变,由α-贫氢相转变成β-富氢相。α-贫氢相和β-富氢相都是面心立方晶格,但β-富氢相的点阵常...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。