技术编号：14991054
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及计算β-三氧化二镓电荷转移的方法。背景技术由于β-Ga2O3在4.2-5.1eV的宽带隙、优良的化学稳定性和热稳定性，因而在许多方面吸引了广泛关注，如光催化剂，紫外探测器、气体传感器和发光二极管等。与其它宽禁带半导体材料相比(SiC和GaN)，β-Ga2O3的制造成本低，操作温度高、击穿电压较高。然而，现有的制造工艺，如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、分子束外延(MBE)等，都容易引入材料缺陷，导致变化和光激发电子跃迁。这种电子的激发过程可以从仿真计算角...
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