技术编号:14992414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储器领域,具体涉及一种差分的浮栅型DRAM存储单元及DRAM存储器。背景技术随着集成电路工艺的高速发展,工艺集成度允许片内集成更多的存储器。嵌入式存储器在系统芯片(SoC)的面积的逐步增加,存储器对芯片性能的影响也越来越大。动态随机存储器(DRAM)具备速度快、功耗低、密度高等优势,在SoC芯片中被广泛使用。传统的DRAM基本单元由1T1C构成,也就是一个晶体管加一个电容的结构。由于其电容需要保持一定电荷量来有效地存储信息,无法像MOSFET那样持续缩小尺寸。业界通常通过挖“深...
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