技术编号:14992422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年1月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0006282号的优先权,其全部公开内容通过引用并入本文。技术领域本公开涉及一种半导体设备,更具体地,涉及一种非易失性存储器设备,在该非易失性存储器设备中,通过针对每单元多位(multi-bit-per-cell)优化读取电压来执行数据恢复读取操作。背景技术近来已经开发了每单元存储多位(即两位或更多位)的快闪存储器(flash memories)。为了提高快闪存储器的可靠性,准确读取存储在多位存储器单元中的数据的...
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