技术编号:14992582
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种淀积方法。背景技术在半导体制程工艺中,尤其是低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition,简称为LPCVD)的薄膜淀积工艺中,炉管中晶圆的厚度均匀性比较难以控制。目前业界对于炉管薄膜淀积一致的做法是当晶舟升到反应腔体后,温度稳定一段时间,然后恒温淀积,然后进行反应尾气的排放,最后降温并将晶舟下降。但是经过该过程淀积的薄膜厚度的均匀性比较差,通常是晶圆外围的薄膜比较厚而中间比较薄。当前,业界通常通过调整压力、流...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。