技术编号:15021927
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其是涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术MOSFET(金属氧化半导体场效应晶体管)是大部分半导体器件的主要构件,当沟道长度小于100nm时,传统的MOSFET中,由于围绕有源区的半导体衬底的半导体材料使源极和漏极区间互动,漏极与源极的距离也随之缩短,产生短沟道效应,这样一来栅极对沟道的控制能力变差,栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大,如此使亚阀值漏电(Subthrehhold leakage)现象更容易发生。鳍式场效晶体管(Fin Field ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。