技术编号:15024530
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于太阳电池和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。背景技术对于地面用太阳电池,双面进光的结构实际发电量高于同等标称功率的单面进光太阳电池的认识已经被行业普遍接受。目前主流的双面进光太阳电池均是以n型晶体硅片为基底的。一种是基于pn同质结结构的n-PERT结构,特点是短路电流大,开路电压低;另一类是以基于pn异质结结构的,以HIT结构为代表,特点是短路电流小,开路电压高。如何提高前者的开路电压和提高后者的短路电流一直是业内的难点,也是努力的方向。如能结合二者的特点,发明一种新的结构,同时...
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