技术编号:15024542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路静电保护技术领域,尤其涉及一种SCR静电保护器件及静电保护电路。背景技术缘体上硅(Silicon-On-Insulator,SOI)是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层作为绝缘层,埋氧化层延伸于半导体元件的主动区下方。SOI技术带来许多结构上与物理特性上的改良,如SOI结构具有几近完美的次临界电压飘移(sub-threshold swing)、无闩锁(latch-up free)、低关闭状态漏电流(low off-state leakage)、低操作电压与高电流驱动能力等等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。