技术编号:15024556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2016年12月21日提交的申请号为10-2016-0175505的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。技术领域本发明的示例性实施例涉及一种半导体器件和用于制造该半导体器件的方法,并且更具体地,涉及包括电容器的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。背景技术通常,多个硅悬挂键位于金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)型半导体器件中的硅衬底与栅电介质层之间的界面处。硅悬挂键可以用作界面陷阱来改变MOSFET的阈值电压。MOSFET的特性可以通过阈值电压的变化而改变。因...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。