技术编号：15035876
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及压阻式加速度传感器，具体是一种适应于高温环境的SiC压阻式加速度传感器制备方法。背景技术压阻式加速度传感器广泛应用于军事国防、航空航天等领域。实践表明，现有压阻式加速度传感器由于受传统的硅材料特性所限，在高温环境下使用时普遍存在稳定性和可靠性差的问题，由此导致其难以适应高温环境，从而导致其适用范围受限。基于此，有必要发明一种使用新材料加工的压阻式加速度传感器，以解决现有压阻式加速度传感器存在的上述问题。发明内容本发明为了解决现有压阻式加速度传感器在高温环境下使用时稳定性和可靠性差的问题...
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