技术编号:15048808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种的GaN HEMT器件的通孔制备方法。背景技术GaNHEMT(High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管)具备优异的功率及频率特性,高击穿和低噪声等特性,广泛应用于移动通信、雷达、高速电力电子开关等领域。在GaN HEMT器件的制作过程中,通孔刻蚀工艺十分关键。SiC衬底GaNHEMT器件的通孔刻蚀通常采用背面刻蚀工艺,即首先刻蚀数十微米的SiC,然后继续刻蚀GaN外延层和势垒层,刻蚀至正面金属层终止。由于SiC键...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。