技术编号：15048815
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有纳米材料散热表面的氮化铝与铜热沉复合体的制备方法，具体涉及一种用于碳化硅功率器件封装的领域中，氮化铝底板与铜热沉的联接方法。背景技术功率半导体器件是指直接用于电源电路中转换或控制的电子器件。目前，功率半导体器件的主要材料是硅。但是，随着人们对电力的需求不断扩大，硅功率器件的使用条件已经达到极限，促使研究者寻找新的替代材料。碳化硅材料是第三代宽禁带半导体材料，与硅材料相比，具有高临界击穿电场(工作电压高)、高热导率、高电流密度和高工作温度等优势。高电流和高工作电压就意味着功率很高...
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