技术编号:15048895
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法。更特别地,本发明涉及能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底、使用所述衬底的半导体装置及它们的制造方法。背景技术近年来,为了在高温环境下实现半导体装置的高击穿电压、低损耗及利用,已经开始将碳化硅(SiC)用作半导体装置用材料。碳化硅是具有大于硅的带隙的宽带隙半导体,硅常规上已经广泛用作半导体装置用材料。因此,通过将碳化硅用作半导体装置用材料,半导体装置可以具有高击穿电压、减小的导通电阻等。另外,有利地,与将硅用作其材料的半导体装...
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