技术编号:15048906
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件及其制造方法,尤其涉及一种可增加所述金属氧化半导体场效功率组件的击穿电压和降低所述金属氧化半导体场效功率组件的导通电阻的金属氧化半导体场效功率组件及其制造方法。背景技术在现有技术中,当具有超结的金属氧化半导体场效功率组件(power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor device)关闭时,所述金属氧化半导体场效功率组件是利用所述金属氧化半导体场效功率组件内的P型井和N型磊晶层之...
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