技术编号：15048907
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及其制造方法，特别涉及具有纵型MOSFET的半导体装置及其制造方法，该纵型MOSFET具备沟槽栅。背景技术作为现有的纵型MOSFET的一种，例如像专利文献1中所公开的那样，提出了如下结构：仅在衬底中所形成的沟槽内的下部设置栅电极，并将使源电极与栅电极绝缘的层间绝缘膜埋于沟槽内上部，且以该层间绝缘膜的上表面与衬底正面呈大致同一平面的方式形成该层间绝缘膜，并在该平面上形成源电极。由此，不需要在将栅电极埋至沟槽上部、将层间绝缘膜形成在衬底正面上的情况下所需的接触开口，从而能够缩小装...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。