技术编号：15049280
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种图形衬底半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器的技术领域。背景技术半导体激光器的横模是描述输出光束轴线上某处的光强分布，也称为远场分布，通俗来说就是激光器的光斑。边发射半导体激光器具有非圆对称的波导结构。在垂直异质结平面方向靠异质结形成折射率波导，可以很好的限制光场，并且异质结有源层比较薄，能保证在单横模工作。在平行异质结平面方向，有增益波导、弱折射率波导及强折射率波导，并且条宽一般较宽，对侧向模式的限制及稳定工作有一定难度。增益波导及弱折射率波导对光的限制作用并不强，且受工作...
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