技术编号:15051171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种无机卤素钙钛矿阻变存储器及其制备方法,属于微电子技术领域。背景技术在众多的新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)因具有简单的结构、优秀的尺寸可缩小性、较小的编程电流、较低的功耗、较高的读写速度以及与传统的CMOS工艺兼容性好等优点,被认为是下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。其主要工作原理是,在阻变存储器两电极间施加一个电压脉冲,其电阻值会由电阻较高的阻态跳变到电阻较低的阻态;在此状态下再施加另一个电压脉冲后,阻变层材料又会重新恢复到高阻状态。阻变存储器正是利用阻变材料在施...
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