技术编号：1506678
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，以减少入射光的反射率。更具体地说，本发明涉及一种，其通过在清洗之后和对半导体衬底纹理化之前采用碱性溶液氧化半导体衬底，以减少入射光的反射率。背景技术通常，半导体衬底可以通过以下步骤制备(1)用内径锯切割半导体晶锭，以得到晶片状衬底；(2)晶片用水清洗以去除污染物；和(3)晶片接着清洁以去除任何其他的不能被水清洗掉的污染物，如重金属、微粒和有机物，然后将晶片干燥。在切割过程中，来自锯的金属，如铁、氧化铁、铜、氧化铜和锌污染了半导体切片的表面。...
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