技术编号:15068085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅材料的制造方法。背景技术已知硅材料被用作半导体、太阳能电池、二次电池等的构成要素,并且,近年来关于硅材料的研究正在积极进行。例如,非专利文献1记载了使CaSi2与酸发生反应而合成层状聚硅烷。专利文献1记载了使CaSi2与酸发生反应而合成层状聚硅烷,并记载了具备该层状聚硅烷作为活性物质的锂离子二次电池表现出良好的容量。专利文献2记载了:使CaSi2与酸发生反应而合成以除去Ca后的层状聚硅烷为主要成分的层状硅化合物,将该层状硅化合物以300℃以上进行加热而制造使氢脱离后的硅材料;以及具备...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。