技术编号：15076114
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及一种曝光用投影物镜以及光刻系统。背景技术现有技术中的光刻机如图1所示，支撑框架1支撑照明系统2、掩膜台3、投影物镜4和硅片台6，硅片台6上放置有一涂有感光光刻胶的硅片5。请参考图2，其中投影物镜4由多组外圈镜座41和内圈镜片42(虚线)组成。投影物镜4的流场模型为：在外圈镜座41上设有一个通气口430，供气源进入物镜腔室内部，气源提供的气体期望为惰性气体或中性气体，为了避免气体在物镜腔室中因曝光发生氧化反应，期望值为氦气或者氮气。请参照图2，通气口430的长度方向为...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。