一种eFuse存储电路的制作方法技术资料下载

技术编号:15077466

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本发明涉及半导体器件领域,具体而言涉及一种eFuse存储电路。背景技术eFuse(电可编程熔丝)属于一次性编程的存储器,随着eFuse理论与技术的逐渐成熟,eFuse的应用范围迅速扩大。现有eFuse存储单元的常见架构利用编程晶体管为熔丝编程时提供电流,通常情况下,一个编程晶体管往往挂载了很多个bitcell(存储单元),因此会有很长的金属走线,而随着eFuse工艺尺寸的不断减小,金属走线上的IR drop(电压降)越来越大,使得编程晶体管的输出电压有一个很大的波动范围,熔丝的编程电流也在一个很...
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