技术编号:15079294
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制作领域,具体涉及具P型二维材料栅极增强型氮化镓场效应器件的制备方法。背景技术氮化镓材料具有禁带宽度大、临界击穿电场高、热导率高等特点,在宽带通信、电力电子等领域应用前景广阔。由于氮化镓(GaN)与铝镓氮(AlGaN)异质结界面处存在自发极化和压电极化效应,二维电子气浓度非常高(>1E13cm-2),这使得氮化镓场效应器件[此处场效应器件指HEMT(高电子迁移率晶体管)器件]具有非常低的导通电阻和开关延迟。然而AlGaN\/GaN异质界面处高浓度的二维电子气会使...
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