技术编号：15079304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件。背景技术LDMOS是一种横向双扩散结构的射频功率器件，和普通功率MOS器件相比，LDMOS器件在靠近栅极侧多了一个轻掺杂的漂移区，用以承担器件工作的高压。在靠近栅附近漂移区的表面存在高电场，导致器件在高电场附近首先击穿，和普通的MOS器件相比，LDMOS具有准饱和效应和大功率情况下的负阻效应。正因为LDMOS的这些结构特点，和双极晶体管相比，具有线性度高、增益高、温度稳定性好、可承受的驻波失配比高、偏置电路简单等明显优点。因此，LDMOS广泛...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。