技术编号：15097463
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，特别涉及一种垂直结构粗化方法。背景技术GaN表面粗化后具有VF低、发光强度高、发光分布均匀、耗电量小、寿命长等优点，在垂直等结构中广泛被应用。在粗化前对于N型GaN表面的处理方案对控制粗化效率和优劣有关键作用。然而在对GaN表面进行粗化时，通常对GaN表面过度粗化或粗化不均匀，如图1所示，过粗化后的晶胞疏而秃，形貌差，其晶胞受损严重，从而降低了芯片的性能。发明内容本发明的目的是提供一种垂直结构粗化方法，利用PECVD在GaN表面处理用来抑制KOH腐蚀使晶胞受损较小，解决过粗...
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