技术编号:15116104
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,更具体地,涉及一种InGaAs/Si外延材料的制备方法。背景技术近年来,随着信息技术的飞速发展,对数据的处理、存储和传输的要求也越来越高,通信系统面临着新的挑战。以硅材料为主导的微电子工艺不断推动着芯片尺寸的减小,但是电互联限制着超小尺寸的芯片内和芯片间的信号传输。如何实现芯片的高速传输成为信息技术的关键问题。为了解决上述问题,研究人员提出了将光电子器件也集成到微电子的硅基平台上。这样,既可以利用微电子的成熟的工艺技术,又可以利用光子的高传输速率、高抗干扰性等优势,从而...
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