技术编号：15116119
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于H01L 21/336类半导体器件领域，具体涉及一种晶圆制造过程中检测缺陷的定位和跟踪方法。背景技术在半导体器件的制备过程中，外延片本身的缺陷种类与晶圆制造过程中工艺加工方法对缺陷的影响都对获得的器件性能有重要的影响。有效的跟踪缺陷和定位缺陷，对于缺陷本身对器件性能起到的影响、器件的良率和可靠性分析具有重要的意义。在现有晶圆制造过程中，一般只对进行晶圆工艺前的外延片进行缺陷扫描，获得晶圆缺陷扫描图像，晶圆缺陷扫描图像可以示出晶圆表面存在的缺陷以及晶圆表面的形貌，待晶圆工艺完成，进行电学...
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