技术编号：15116192
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体-金属相变材料领域，尤其是涉及一种利用纳米金属颗粒辅助微波实现半导体金属相变的方法。背景技术二维相变材料二碲化钼MoTe2属于层状过渡金属硫族化合物，具有二维的层状结构。它同质结光电效率极高，是硅的10—50倍；具有与硅几乎一样的能带隙，具有超高的载流子迁移率、饱和漂移速度和高的电、热导率等，因此可以代替硅成为新型的半导体材料。同时，单层MoTe2材料同时存在半导体相和金属相，并且半导体-金属相变转换能非常低。MoTe2材料区别于硅材料的电学特性，尤其其特有的半导体-金属相变为其...
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