技术编号:15130704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体基元件的制造方法和太阳能电池的制造方法。背景技术以往的太阳能电池中,已知能够从两面受光的两面受光型太阳能电池。两面受光型太阳能电池提出了设置于墙壁等从而两面受光的类型;在背面侧具备具有反射功能的背板而设置于屋顶等结构体上从而两面受光的类型。(例如参照专利文献1)。太阳能电池中使用的半导体基板中,为了将p型和n型的杂质扩散而形成杂质扩散层,采用在各个分别的步骤中进行形成p型杂质扩散层和n型杂质扩散层的方法。但是,这样的方法中,存在步骤数增大的问题。与此相对地,作为更简便的方法,提出...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。