技术编号:15131072
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件领域,涉及横向耐压区,特别是具有深槽结构的横向耐压区;可应用于半导体功率器件的结边缘终端,或者横向半导体功率器件包括LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)、LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor)的耐压区。背景技术具有横向耐压区的半导体功率器件,如LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET,LDMOS)等,由于易集成、易驱动、高耐压、低功耗等特点,在功...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。