技术编号:15144668
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种非对称双栅结构MOSFET阈值电压解析模型。背景技术随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的持续减小,MOSFET器件面临着迁移率降低、短沟道效应等一些物理效应。在目前的一些新型器件结构中,双栅器件具有更优异的性质,对沟道电场的控制能力大大加强,亚阈值斜率更为理想,载流子迁移率大大提高。另外,沟道掺杂工程也被应用到新型器件结构中。因此,双栅渐变掺杂沟道MOSFET器件结构变得尤为重要,非对称双栅结构是双栅结构的一个普通形式,对于该结构,建立...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。