技术编号:15145584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件加工领域,尤其是涉及一种基于GaAs晶圆的雾化超声抛光工艺。背景技术随着当今时代半导体工业的不断发展,GaAs单晶材料已经成为了半导体器件和集成电路中极为重要的基础功能材料,同时对GaAs晶圆的表面质量要求也在不断提高。化学机械抛光(CMP)是目前实现GaAs晶圆表面平整化的主流技术之一,但是传统CMP中存在着抛光液大量浪费、材料去除不一致、磨粒分布不均等弊端。针对上述传统CMP中存在的弊端,本申请提出了超声波雾化施液抛光方法,极大节省了抛光液的消耗量并进一步提高了GaAs晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。