技术编号：15148841
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子器件技术领域，具体是一种基于同轴硅通孔阵列的三维电容器及其制作方法。背景技术电容器是电子学三大基本无源器件之一，广泛应用于现代通信系统的各类电路模块，其主要的工作原理是以电场能的形式储存能量，实现旁路、去耦、滤波、补偿等作用。随着现代通信系统的迅速发展，人们对大电容值的集成电容器的需求日益迫切。硅通孔（Through Silicon Via, TSV）是三维集成电路的重要组成单元，它实现了层间芯片的垂直互连通信，大幅缩短片上互连线长，降低互连时延。传统TSV主要通过在硅衬底内部刻...
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