技术编号:15148917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法。背景技术顶栅型阵列基板具有寄生电容小、光罩数少、可靠性高等优势,从而得到广泛的应用。制作顶栅型阵列基板时,通常会采用等离子体((Ar,He,Nz等plasma)对半导体层对与源漏极接触的位置进行导体化处理,来达到减小源漏极与所述半导体层的接触阻抗。但是,在后续的退火时,源漏极与所述半导体层的接触阻抗渐渐恢复变大,影响载流子的传输,最终影响薄膜晶体管的电性能。发明内容本发明提供一种阵列基板及阵列基板的制作方法,减小源漏极与所述半导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。