技术编号:15149228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及LED制造领域,特别涉及一种无漏电MESA切割道3D通孔超结构LED芯片及其制备方法。背景技术随着LED在照明领域的逐步应用,市场对白光LED光效的要求越来越高,目前LED 市场涌现的GaN基垂直线形结构LED芯片,因其具有单面出光,良好的散热能力,能够承受大电流注入,成本为正装结构的几分之一等一系列优势,正在逐步替代蓝宝石基水平结构LED芯片,成为大功率LED市场的首选品。但垂直线形结构LED同样具有其缺点,其一,由于其N电极置于出光面,存在严重的电极挡光问题;其二,位于电极...
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