技术编号：15150952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及二维层状二硫化钼能隙调控技术，具体是一种基于晶格结构不对称的双层二硫化钼能隙调控方法，主要用于二硫化钼电子器件制造领域。背景技术自石墨烯发现以来，在国际上就引发了一轮二维功能材料的研究热潮。随着对石墨烯的深入研究，许多类石墨烯二维材料相继被发现。二维层状二硫化钼是一种新型的二维层状化合物，由单层或少层二硫化钼构成，其结构和性能与石墨烯类似。与石墨烯一样，二硫化钼具有优异的电学、物理和机械性能，广泛应用于FET、光电器件、储能、复合材料等领域。本征石墨烯没有能隙，极大限制了它在电子器件方...
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