技术编号:15164313
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种高电流注入机台监控方法。背景技术在半导体晶圆制造中,注入工艺已逐渐取代传统扩散工艺,在推阱、控制结深的工艺中发挥越来越稳定的作用。与扩散工艺相比,注入工艺的WPH(每小时出片量)更多,结深控制更精准。注入工艺的工艺参数包括能量、剂量和角度。一般地,根据能量与剂量注入工艺可以分为高电流注入工艺、高能注入工艺与中电流注入工艺。高电流注入工艺的特点是剂量大,掺杂离子的束流大,同时注入能量较小,在10KeV以下,对应的结深也较浅。在晶圆制作过程中,其掺...
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