技术编号：15166726
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及薄膜制作技术领域，具体涉及一种纳米薄膜及其制作方法、薄膜晶体管及其制作方法。背景技术近年来，低维纳米材料，例如：碳纳米管、纳米线、二维半导体材料或者量子点等已成为当下学术界及产业界的研究热点，由于其大的比表面积，量子限域效应，优异的材料属性使得低维纳米材料成为未来电子及光电子学的替代材料。同时，由两种或多种纳米半导体材料接触形成的异质结器件，或者金属纳米材料与纳米半导体材料接触形成的肖特基器件，作为有源层的基本构筑单元，在半导体光电器件领域如光探测器、光伏、发光二极管、激光或电学...
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