技术编号:15166738
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种激光退火方法。背景技术激光热处理加工包括用于半导体晶圆熔性或者非熔性的激光退火,激光辅助的薄膜生长,激光作用下非晶材料相变(用于制作多晶薄膜器件,太阳能电池)等等。以激光扫描半导体晶圆对半导体晶圆进行退火工艺(laser spike annealing,LSA),已广泛应用于半导体加工行业中。由于不同波长的激光在半导体晶圆中的吸收深度不同,激光退火具有退火深度可控的特点。因此,无论是在32nm及其以下技术节点器件的超浅PN结制备工艺中,还是在功率半导体器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。