技术编号:15166870
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请主张在2017年2月8日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0017632号的优先权,所述韩国专利申请的公开内容全文并入本案供参考。技术领域本发明概念涉及一种半导体装置及/或制作所述半导体装置的方法。背景技术半导体存储器元件(例如,动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM))具有单元区及核心区。具体来说,核心区包括其中形成有p型金属氧化物半导体(p-type metal oxide semiconductor,PMOS)晶体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。