技术编号：15177062
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及复合薄膜技术领域，具体是一种Al、Mn、ZnO共掺杂复合薄膜的制备方法。背景技术近年来，稀磁半导体由于本身的物理内涵以及其在自旋电子器件领域的应用而得到极大的关注，过量的金属掺杂ZnO薄膜是目前研究最多的稀磁半导体材料，特别是锰掺杂ZnO稀磁半导体的研究更为广泛。但Mn掺杂ZnO基半导体由于Mn离子的作用会使电阻率大幅增加，故薄膜无法成为有效的自旋电子注入源。一些研究表明，一定含量的Al离子会使Mn掺杂ZnO薄膜的载流子浓度大幅度提高并保持其室温铁磁性质。目前制备这种共掺杂薄膜的方法主...
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