技术编号:15177066
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺技术领域,特别是涉及一种磁控溅射平面阴极。背景技术磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。现有的磁控溅射平面阴极中,靶材设置在靶材背板上方,靶材背板下方设置有导电铜块,导电铜块下发设置有磁铁,在磁控溅射过程中磁场由置于靶材背部的磁铁产生,磁场通过磁铁产生的磁场透过导电铜块和靶材自身到达靶材表面。现有的磁控溅射平面阴极具...
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